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  • 型号: IPW60R045CP
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IPW60R045CP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPW60R045CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPW60R045CP价格参考以及InfineonIPW60R045CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPW60R045CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPW60R045CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 650V 60A TO-247MOSFET N-CH 600 V 60 A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW60R045CPCoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPW60R045CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d8e55489b

产品型号

IPW60R045CP

Pd-PowerDissipation

431 W

Pd-功率耗散

431 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

45 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

45 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

20 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 3mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6800pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

190nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 44A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

431W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

240

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

240

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

IPW60R045

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPW60R045CPFKSA1 SP000067149

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