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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW50R350CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW50R350CP价格参考。InfineonIPW50R350CP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPW50R350CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPW50R350CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3MOSFET COOL MOS N-CH 500V 0.350Ohms |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW50R350CPCoolMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPW50R350CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d315d5de0c1b |
产品型号 | IPW50R350CP |
Pd-PowerDissipation | 89 W |
Pd-功率耗散 | 89 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 350 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 14 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 370µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1020pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 350 毫欧 @ 5.6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
其它名称 | IPW50R350CPFKSA1 |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
功率-最大值 | 89W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 350 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 240 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 240 |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 10 A |
漏源极电压(Vdss) | 550V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
系列 | IPW50R350 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPW50R350CPFKSA1 SP000301164 |