图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPW50R190CE
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPW50R190CE由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPW50R190CE价格参考。InfineonIPW50R190CE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPW50R190CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPW50R190CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007http://www.infineon.com/dgdl/IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPW50R190CE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 510µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1137pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 6.2A, 13V |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IPW50R190CEFKSA1 |
| 功率-最大值 | 127W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
| 标准包装 | 240 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18.5A （Tc） |
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