ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPT059N15N3ATMA1
Datasheet下载- 型号： IPT059N15N3ATMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPT059N15N3ATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPT059N15N3ATMA1价格参考￥询价-￥询价。InfineonIPT059N15N3ATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 155A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1。您可以下载IPT059N15N3ATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPT059N15N3ATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IPT059N15N3ATMA1 |
| rohs | 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7200pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.9毫欧 @ 150A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-1 |
| 其它名称 | IPT059N15N3ATMA1DKR |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 155A （Tc） |
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