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  • 型号: IPS65R1K4C6AKMA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPS65R1K4C6AKMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPS65R1K4C6AKMA1价格参考。InfineonIPS65R1K4C6AKMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO251-3。您可以下载IPS65R1K4C6AKMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPS65R1K4C6AKMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPS65R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae01389e8ec2f0504f

产品图片

产品型号

IPS65R1K4C6AKMA1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

225pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.4 欧姆 @ 1A, 10V

供应商器件封装

PG-TO251-3

其它名称

SP000991120

功率-最大值

-

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.2A (Tc)

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