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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPS031N03L G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPS031N03L G价格参考。InfineonIPS031N03L G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPS031N03L G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPS031N03L G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3MOSFET N-CH 30 V 90 A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
Id-连续漏极电流 | 90 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPS031N03L GOptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD031N03L_rev1.03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4277c5d3c47 |
产品型号 | IPS031N03L G |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 94 W |
Pd-功率耗散 | 94 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 6 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5300pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.1 毫欧 @ 30A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
其它名称 | IPS031N03LGIN |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
功率-最大值 | 94W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,500 |
正向跨导-最小值 | 100 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPS031N03LGXK |