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  • 型号: IPP80N04S3-03
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IPP80N04S3-03产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 80A 3.2

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N04S3-03_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba23a4587

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP80N04S3-03OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPP_B_I80N04S3_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba23a4587&ack=t

产品型号

IPP80N04S3-03

Pd-PowerDissipation

188 W

Pd-功率耗散

188 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 120µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.5 毫欧 @ 80A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3

其它名称

IPP80N04S303
IPP80N04S303AKSA1
SP000261229

典型关闭延迟时间

39 ns

功率-最大值

188W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

xPP80N04

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPP80N04S303AKSA1 SP000261229

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