ICGOO在线商城 > IPP80N04S2L-03
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IPP80N04S2L-03产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP80N04S2L-03由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPP80N04S2L-03价格参考以及InfineonIPP80N04S2L-03封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPP80N04S2L-03参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPP80N04S2L-03详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B80N04S2L-03_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b7c294529 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP80N04S2L-03OptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B80N04S2L-03_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b7c294529 |
产品型号 | IPP80N04S2L-03 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 50 ns |
下降时间 | 27 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 213nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.4 毫欧 @ 80A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
其它名称 | IPP80N04S2L03AKSA1 |
典型关闭延迟时间 | 77 ns |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
系列 | IPP80N04 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPP80N04S2L03AKSA1 SP000219063 |