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型号： IPP65R045C7XKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP65R045C7XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP65R045C7XKSA1价格参考￥询价-￥询价。InfineonIPP65R045C7XKSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 650V 46A（Tc） 227W（Tc） PG-TO-220-3。您可以下载IPP65R045C7XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP65R045C7XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IPP65R045C7XKSA1是一款高性能的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适用于多种电力电子应用场景。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   - IPP65R045C7XKSA1广泛应用于开关电源（SMPS）中，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻有助于提高效率，减少能量损耗，特别适合高效能要求的电源系统。
   
2. 电机驱动：
   - 该MOSFET可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中。其快速开关特性和低损耗特性使其在电机控制应用中表现出色，能够实现更高效的电机驱动和更好的动态响应。

3. 逆变器与变频器：
   - 在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和工业变频器中，IPP65R045C7XKSA1可以用于功率级电路，帮助实现高效的能量转换和稳定的输出控制。其高耐压能力和低损耗特性使得它在这些应用中表现优异。

4. 电池管理系统（BMS）：
   - 该器件适用于电动汽车（EV）、储能系统等领域的电池管理系统中，用于电池充放电控制和保护电路。其低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命并提高系统的整体可靠性。

5. 消费电子产品：
   - IPP65R045C7XKSA1也可用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费类电子产品中，提供高效、紧凑的电源解决方案，满足现代电子产品对小尺寸和高效率的要求。

 总结：
IPP65R045C7XKSA1凭借其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效能、低损耗和快速响应的应用场景下表现出色。无论是工业自动化、可再生能源系统还是消费电子产品，这款MOSFET都能提供可靠且高效的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 650V 46A TO-220-3
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Infineon Technologies
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff
产品图片
产品型号	IPP65R045C7XKSA1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	CoolMOS™ C7
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1.25mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4340pF @ 400V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	93nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	45 毫欧 @ 24.9A， 10V
供应商器件封装	TO-220-3
其它名称	SP000929422
功率-最大值	227W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	500
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	46A （Tc）