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  • 型号: IPP60R099C6
  • 制造商: Infineon
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IPP60R099C6产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220MOSFET N-CH 650V 37.9A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

37.9 A

Id-连续漏极电流

37.9 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394c84a4c068e

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP60R099C6CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394c84a4c068e

产品型号

IPP60R099C6

Pd-PowerDissipation

278 W

Pd-功率耗散

278 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

90 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 1.21mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2660pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

119nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

99 毫欧 @ 18.1A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP60R099C6XKSA1
SP000687556

功率-最大值

278W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

37.9A (Tc)

系列

IPP60R099

零件号别名

IPP60R099C6XKSA1 SP000687556

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