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  • 型号: IPP50R500CE
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R500CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50R500CE价格参考。InfineonIPP50R500CE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP50R500CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP50R500CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220MOSFET 500V 500 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

超级结

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.6 A

Id-连续漏极电流

7.6 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPX50R500CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e83730138512967f70fce

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP50R500CECoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007https://www.infineon.com/dgdl/IPx50R500CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e83730138512967f70fce

产品型号

IPP50R500CE

Pd-PowerDissipation

57 W

Pd-功率耗散

57 W

Qg-GateCharge

18.7 nC

Qg-栅极电荷

18.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

500 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

500 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

433pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

500 毫欧 @ 2.3A,13V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3

其它名称

IPP50R500CEIN
IPP50R500CEXKSA1
SP000939326

功率-最大值

57W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

应用说明

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.6A (Tc)

系列

IPP50R500

配置

Single

零件号别名

IPP50R500CEXKSA1 SP000939326

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