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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R190CEXKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50R190CEXKSA1价格参考。InfineonIPP50R190CEXKSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP50R190CEXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP50R190CEXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPP50R190CEXKSA1是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单的产品,其应用场景广泛适用于需要高效功率转换和开关操作的领域。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理: IPP50R190CEXKSA1适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等设备中,提供高效的功率转换功能。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机的驱动电路中,实现精确的速度控制和高效的能量传递。其坚固的设计能够承受电机启动时的高电流冲击。 3. 太阳能逆变器: 在光伏系统中,这款MOSFET可以作为关键组件用于将直流电转换为交流电的过程中,确保最大功率点跟踪(MPPT)算法的有效执行,并优化整体系统的能源产出。 4. 不间断电源(UPS): IPP50R190CEXKSA1在UPS系统中起到核心作用,帮助在主电源中断时迅速切换到备用电池供电模式,同时维持稳定的输出电压。 5. 电动车及混合动力车(EV/HEV): 此款MOSFET可用于电动车或混合动力车中的牵引逆变器、车载充电器以及DC-DC转换器等部位,支持车辆电气化所需的高性能电力电子需求。 6. 工业自动化: 在工业应用中,例如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等领域,该器件能够提供可靠的开关性能以控制复杂的机械动作。 总之,IPP50R190CEXKSA1凭借其卓越的电气特性和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择,特别是在那些对效率、热管理和紧凑设计有严格要求的情况下。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18.5 A |
Id-连续漏极电流 | 18.5 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET COOL MOS |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP50R190CEXKSA1 |
产品型号 | IPP50R190CEXKSA1 |
Pd-PowerDissipation | 127 W |
Pd-功率耗散 | 127 W |
Qg-GateCharge | 47.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 47.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 550 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 8.5 ns |
下降时间 | 7.5 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 54 ns |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
系列 | IPP50R190 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000850802 |