ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IPP17N25S3100AKSA1
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP17N25S3100AKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP17N25S3100AKSA1价格参考¥5.42-¥5.77。InfineonIPP17N25S3100AKSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 250V 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1。您可以下载IPP17N25S3100AKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP17N25S3100AKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
Id-连续漏极电流 | 17 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET 250V 100mOhm 17Amp |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a30433b92f0e8013b9377b6270147&fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP17N25S3100AKSA1 |
产品型号 | IPP17N25S3100AKSA1 |
Pd-PowerDissipation | 107 W |
Pd-功率耗散 | 107 W |
Qg-GateCharge | 14 nC |
Qg-栅极电荷 | 14 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 3.7 ns |
下降时间 | 1.2 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 7.5 ns |
商标 | Infineon Technologies |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
系列 | IPP17N25 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SP001025116 |