【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IPP17N25S3100AKSA1】封装/厂家_IPP17N25S3100AKSA1中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPP17N25S3100AKSA1

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IPP17N25S3100AKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP17N25S3100AKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP17N25S3100AKSA1价格参考￥5.42-￥5.77。InfineonIPP17N25S3100AKSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 250V 17A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1。您可以下载IPP17N25S3100AKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP17N25S3100AKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IPP17N25S3100AKSA1是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单通道晶体管类别。其应用场景广泛，适用于多种电力电子设备和系统中，以下是一些主要的应用领域：

 1. 工业电源
   - IPP17N25S3100AKSA1适合用于开关电源（SMPS）设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，能够降低功耗并提高系统的整体效率。
   - 应用场景包括不间断电源（UPS）、焊接设备、电机驱动器等。

 2. 太阳能逆变器
   - 在光伏系统中，该MOSFET可用于太阳能逆变器的核心电路中，实现高效的直流到交流转换。其出色的开关性能和热稳定性使其成为理想选择。

 3. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）
   - 该器件适用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及辅助电源模块（APM）。在这些应用中，IPP17N25S3100AKSA1可以提供稳定的电流控制和快速的开关速度，满足电动车对高效能源管理的需求。

 4. 电机驱动
   - 在工业自动化和消费电子领域，这款MOSFET常用于无刷直流电机（BLDC）驱动器中。它可以精确控制电机的速度和扭矩，同时保持较低的能耗。

 5. 照明系统
   - 高亮度LED照明系统需要高效的电源管理，IPP17N25S3100AKSA1可用于驱动大功率LED灯，确保稳定的电流输出和长寿命运行。

 6. 家电产品
   - 在现代家用电器中，如空调、冰箱、洗衣机等，该MOSFET可用于压缩机驱动、风扇控制和其他关键电路部分，提供可靠性和节能效果。

 7. 通信基础设施
   - 在基站电源、电信设备等领域，IPP17N25S3100AKSA1因其高可靠性、低损耗和良好的散热性能而被广泛应用。

 总结
IPP17N25S3100AKSA1凭借其优异的电气特性和耐用性，适用于需要高效功率转换和稳定性能的各种场景。无论是工业、汽车还是消费类电子产品，这款MOSFET都能为系统提供卓越的性能支持。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	17 A
Id-连续漏极电流	17 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET 250V 100mOhm 17Amp
产品分类	分离式半导体
产品手册	http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a30433b92f0e8013b9377b6270147&fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP17N25S3100AKSA1
产品型号	IPP17N25S3100AKSA1
Pd-PowerDissipation	107 W
Pd-功率耗散	107 W
Qg-GateCharge	14 nC
Qg-栅极电荷	14 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	100 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	100 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	250 V
Vds-漏源极击穿电压	250 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	3.7 ns
下降时间	1.2 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	7.5 ns
商标	Infineon Technologies
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
系列	IPP17N25
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP001025116