数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP12CN10N G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP12CN10N G价格参考。InfineonIPP12CN10N G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP12CN10N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP12CN10N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPP12CN10N G是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):IPP12CN10N G适用于各种开关电源设计,如AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高效率。 - 负载开关:可用于控制电路中不同负载的通断,确保高效且稳定的电流传输。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:该MOSFET适合用于驱动小型直流电机,提供精确的速度和方向控制。 - H桥电路:在H桥电路中,IPP12CN10N G可以作为开关元件,实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电保护:在锂离子电池或其他可充电电池系统中,该MOSFET可用于过流保护、短路保护以及防止过充或过放。 - 均衡电路:支持电池组中的电压均衡功能,延长电池寿命。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:例如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等,IPP12CN10N G能够承受较高的电流和电压波动。 - LED照明驱动:用于汽车LED灯的驱动电路,提供稳定电流输出并减少热量产生。 5. 工业自动化 - 继电器替代方案:由于其快速开关特性和长寿命,IPP12CN10N G可以替代传统机械继电器,用于工业控制中的信号切换。 - 传感器接口:在工业传感器应用中,该MOSFET可用作信号放大或隔离元件。 6. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器:用于便携式设备的电源适配器中,提高能效并减小体积。 - 家用电器:如吸尘器、电风扇等需要高效功率转换的家电产品。 特点总结 IPP12CN10N G具有以下优势: - 额定电压为100V,适用于中低压应用。 - 极低的导通电阻(典型值约为0.012Ω),降低功耗。 - 快速开关速度,适合高频工作环境。 - 良好的热性能,便于散热设计。 综上所述,IPP12CN10N G广泛应用于需要高效功率转换和低损耗的场景,尤其适合对能耗和可靠性要求较高的现代电子设备。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 67A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP12CN10N_Rev1.05.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c |
产品图片 | |
产品型号 | IPP12CN10N G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 83µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4320pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.9 毫欧 @ 67A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | IPP12CN10NGX |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 67A (Tc) |