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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP120N04S4-02由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP120N04S4-02价格参考。InfineonIPP120N04S4-02封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP120N04S4-02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP120N04S4-02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1MOSFET N-Channel 40V MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP120N04S4-02OptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I120N04S4-02_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37 |
产品型号 | IPP120N04S4-02 |
Pd-PowerDissipation | 158 W |
Pd-功率耗散 | 158 W |
Qg-GateCharge | 103 nC |
Qg-栅极电荷 | 103 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.58 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.58 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 110µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10740pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 134nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.1 毫欧 @ 100A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO220-3-1 |
其它名称 | IPP120N04S402AKSA1 |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 158W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
系列 | IPP120N04 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPP120N04S402AKSA1 SP000764734 |