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  • 型号: IPP120N04S4-02
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP120N04S4-02由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP120N04S4-02价格参考。InfineonIPP120N04S4-02封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP120N04S4-02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP120N04S4-02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1MOSFET N-Channel 40V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP120N04S4-02OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I120N04S4-02_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37

产品型号

IPP120N04S4-02

Pd-PowerDissipation

158 W

Pd-功率耗散

158 W

Qg-GateCharge

103 nC

Qg-栅极电荷

103 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.58 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.58 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

16 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 110µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10740pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

134nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.1 毫欧 @ 100A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3-1

其它名称

IPP120N04S402AKSA1
SP000764734

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

158W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

系列

IPP120N04

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPP120N04S402AKSA1 SP000764734

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