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  • 型号: IPP110N20NA
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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IPP110N20NA产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP110N20NA由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPP110N20NA价格参考以及InfineonIPP110N20NA封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPP110N20NA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPP110N20NA详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3

产品图片

产品型号

IPP110N20NA

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptimWatt™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 270µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7100pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

87nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.7 毫欧 @ 88A,10V

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP110N20NAAKSA1
SP000877672

功率-最大值

300W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

88A (Tc)

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