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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I100N06S3L-04_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304316f112290116f2d5295272af |
产品图片 | |
产品型号 | IPP100N06S3L-04 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17270pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 362nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.8 毫欧 @ 80A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
其它名称 | IPP100N06S3L-04-ND |
功率-最大值 | 214W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |