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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP09N03LA_Rev1.91_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a97af43b0 |
产品图片 | |
产品型号 | IPP09N03LA |
PCN过时产品 | |
rohs | 库存产品核实请求 / 库存产品核实请求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 20µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1642pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.2 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | IPP09N03LAIN |
功率-最大值 | 63W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |