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  • 型号: IPP065N04N G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP065N04N G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP065N04N G价格参考。InfineonIPP065N04N G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPP065N04N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP065N04N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3MOSFET N-Channel 40V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP065N04N GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP065N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a304325afd6e0012626e188d92198

产品型号

IPP065N04N G

Pd-PowerDissipation

68 W

Pd-功率耗散

68 W

Qg-GateCharge

26 nC

Qg-栅极电荷

26 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2.8 nS

下降时间

3.6 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2800pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

34nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.5 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

IPP065N04NG
IPP065N04NGXKSA1
SP000648268

典型关闭延迟时间

17 nS

功率-最大值

68W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

IPP065N04

配置

Single

零件号别名

IPP065N04NGXKSA1 SP000648268

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