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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3MOSFET N-Channel 40V MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP065N04N GOptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP065N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a304325afd6e0012626e188d92198 |
产品型号 | IPP065N04N G |
Pd-PowerDissipation | 68 W |
Pd-功率耗散 | 68 W |
Qg-GateCharge | 26 nC |
Qg-栅极电荷 | 26 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 2.8 nS |
下降时间 | 3.6 nS |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 200µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 50A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | IPP065N04NG |
典型关闭延迟时间 | 17 nS |
功率-最大值 | 68W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
系列 | IPP065N04 |
配置 | Single |
零件号别名 | IPP065N04NGXKSA1 SP000648268 |