ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IPP037N08N3GXKSA1
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP037N08N3GXKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP037N08N3GXKSA1价格参考¥8.12-¥16.69。InfineonIPP037N08N3GXKSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3。您可以下载IPP037N08N3GXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP037N08N3GXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP037N08N3GXKSA1 |
产品型号 | IPP037N08N3GXKSA1 |
Pd-PowerDissipation | 214 W |
Pd-功率耗散 | 214 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
产品种类 | MOSFET |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 3.5 mOhms |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
汲极/源极击穿电压 | 80 V |
漏极连续电流 | 100 A |
系列 | IPP037N08 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000680776 |