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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP032N06N3GXKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP032N06N3GXKSA1价格参考¥6.42-¥12.08。InfineonIPP032N06N3GXKSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO-220-3。您可以下载IPP032N06N3GXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP032N06N3GXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPP032N06N3GXKSA1是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有多种应用场景,特别是在功率转换和控制领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IPP032N06N3GXKSA1常用于开关电源(SMPS)中,作为功率开关元件。它能够高效地控制电压和电流的转换,适用于AC-DC、DC-DC转换器等设备。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过PWM(脉宽调制)技术,它可以精确控制电机的速度和扭矩,广泛应用于家用电器、工业自动化设备以及消费电子产品中。 3. 电池管理系统(BMS) 在锂电池或其他类型的电池管理系统中,IPP032N06N3GXKSA1可以用于充放电保护电路。它能够快速响应过流、短路等异常情况,确保电池的安全运行。 4. 汽车电子 该器件符合AEC-Q101标准,适用于汽车电子系统中的各种应用,如电动助力转向系统(EPS)、车身控制系统(BCM)、LED照明驱动等。其高可靠性和耐高温性能使其能够在严苛的车载环境中稳定工作。 5. 逆变器与变频器 IPP032N06N3GXKSA1可用于太阳能逆变器和工业变频器中,作为功率级的关键组件。它能够实现高效的能量转换,帮助降低能耗并提高系统的整体性能。 6. 消费电子 在智能手机、平板电脑等便携式设备中,该MOSFET可用于充电接口的保护电路,防止过流和静电损坏。此外,它也适用于USB PD(Power Delivery)快充方案中的功率路径控制。 总之,IPP032N06N3GXKSA1凭借其出色的电气特性、可靠性及广泛的温度适应范围,在众多电力电子设备中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP032N06N3GXKSA1 |
产品型号 | IPP032N06N3GXKSA1 |
Pd-PowerDissipation | 188 W |
Pd-功率耗散 | 188 W |
Qg-GateCharge | 124 nC |
Qg-栅极电荷 | 124 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 120 ns |
下降时间 | 20 ns |
产品种类 | MOSFET |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 149 S |
系列 | IPP032N06 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000680770 |