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产品简介:
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Infineon Technologies的IPP020N06NAKSA1是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,其应用场景广泛,主要适用于需要高效功率转换和开关操作的领域。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - IPP020N06NAKSA1可用于开关电源(SMPS)中,作为主开关器件实现高效的直流-直流转换。 - 在AC-DC适配器、充电器以及LED驱动器中,该MOSFET能够提供低导通电阻(Rds(on)),从而降低功率损耗并提高效率。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 在H桥或半桥电路中,该MOSFET可以作为开关元件,支持双向电流流动。 3. 电池管理系统(BMS) - 在电池保护电路中,IPP020N06NAKSA1可以用作充放电路径的开关,确保电池的安全运行。 - 其低导通电阻特性有助于减少电池充放电过程中的能量损失。 4. 工业自动化 - 在工业控制系统中,该MOSFET可用于负载切换、继电器替代以及信号隔离等场景。 - 它适合驱动电磁阀、继电器或其他低功率执行器。 5. 汽车电子 - 可应用于汽车电子系统中的负载开关、灯泡驱动和风扇控制等领域。 - 在车载逆变器或辅助电源模块中,该MOSFET可提供可靠的性能和高效率。 6. 消费电子产品 - 适用于笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及其他便携式设备的电源管理。 - 在音频放大器中,可用作输出级开关以提高动态响应能力。 核心优势 IPP020N06NAKSA1具有以下特点,使其在上述应用中表现出色: - 低导通电阻:典型值为20mΩ(Vgs=10V),可显著降低功耗。 - 高击穿电压:600V额定电压,适合高压环境下的使用。 - 快速开关速度:降低开关损耗,提高整体效率。 - 出色的热性能:有助于提升系统的稳定性和可靠性。 综上所述,IPP020N06NAKSA1是一款性能优越的MOSFET,适用于多种功率转换和开关应用,尤其是在需要高效能和低损耗的场合。
参数 | 数值 |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP020N06NAKSA1 |
产品型号 | IPP020N06NAKSA1 |
Pd-PowerDissipation | 214 W |
Pd-功率耗散 | 214 W |
Qg-GateCharge | 106 nC |
Qg-栅极电荷 | 106 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
上升时间 | 45 ns |
下降时间 | 19 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 51 ns |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 2 mOhms |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 210 S |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 120 A |
系列 | IPP020N06 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000917406 |