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产品简介:
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参数 | 数值 |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP020N06NAKSA1 |
产品型号 | IPP020N06NAKSA1 |
Pd-PowerDissipation | 214 W |
Pd-功率耗散 | 214 W |
Qg-GateCharge | 106 nC |
Qg-栅极电荷 | 106 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
上升时间 | 45 ns |
下降时间 | 19 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 51 ns |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 2 mOhms |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 210 S |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 120 A |
系列 | IPP020N06 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000917406 |