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  • 型号: IPI90N06S4L-04
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI90N06S4L-04由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI90N06S4L-04价格参考。InfineonIPI90N06S4L-04封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI90N06S4L-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI90N06S4L-04 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3MOSFET N-Channel 60V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

90 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I90N06S4L-04_DS_10.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI90N06S4L-04OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I90N06S4L-04_DS_10.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3

产品型号

IPI90N06S4L-04

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

Qg-GateCharge

133 nC

Qg-栅极电荷

133 nC

RdsOn-漏源导通电阻

3 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.7 V

上升时间

6 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 90µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

170nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.7 毫欧 @ 90A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO262-3

其它名称

IPI90N06S4L04AKSA1
SP000415696

典型关闭延迟时间

140 ns

功率-最大值

150W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

3 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

90 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

90A (Tc)

系列

IPI90N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPI90N06S4L04AKSA1 SP000415696

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