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IPI80N06S3L-06产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I80N06S3L-06_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2dfdce772cb |
产品图片 | |
产品型号 | IPI80N06S3L-06 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 80µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9417pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 196nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.9 毫欧 @ 56A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
其它名称 | IPI80N06S3L-06-ND |
功率-最大值 | 136W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |