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  • 型号: IPI70N10SL-16
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI70N10SL-16由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI70N10SL-16价格参考。InfineonIPI70N10SL-16封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI70N10SL-16参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI70N10SL-16 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3MOSFET SIPMOS N-CH 100V 70A 16mOhms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

70 A

Id-连续漏极电流

70 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I70N10SL-16.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42a6a0a4339&fileId=db3a304412b407950112b42a72ce4342

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI70N10SL-16SIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I70N10SL-16.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42a6a0a4339&fileId=db3a304412b407950112b42a72ce4342

产品型号

IPI70N10SL-16

Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

16 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

16 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

250 ns

下降时间

95 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 2mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4540pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

240nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 50A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO262-3

其它名称

IPI70N10SL16AKSA1
SP000225705

典型关闭延迟时间

250 ns

功率-最大值

250W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Tc)

系列

xPI70N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPI70N10SL16AKSA1 SP000225705

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