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  • 型号: IPI65R600C6
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI65R600C6由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI65R600C6价格参考。InfineonIPI65R600C6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI65R600C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI65R600C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60

产品图片

产品型号

IPI65R600C6

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 210µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

440pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 2.1A,10V

供应商器件封装

PG-TO262-3

其它名称

IPI65R600C6XKSA1
SP000850504

功率-最大值

63W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Tc)

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