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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI50R299CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI50R299CP价格参考。InfineonIPI50R299CP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI50R299CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI50R299CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3MOSFET CoolMOS Power Transistor |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI50R299CPCoolMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI50R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d24ec76250de |
产品型号 | IPI50R299CP |
Pd-PowerDissipation | 104 W |
Pd-功率耗散 | 104 W |
Qg-GateCharge | 23 nC |
Qg-栅极电荷 | 23 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 299 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 299 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 550 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 14 nS |
下降时间 | 12 nS |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 440µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 299 毫欧 @ 6.6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
其它名称 | IPI50R299CPXKSA1 |
典型关闭延迟时间 | 80 nS |
功率-最大值 | 104W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | I2PAK-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | IPI50R299 |
配置 | Single |
零件号别名 | IPI50R299CPXKSA1 SP000523748 |