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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI120N04S3-02由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI120N04S3-02价格参考。InfineonIPI120N04S3-02封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI120N04S3-02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI120N04S3-02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I120N04S3-02_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba1cd4583 |
产品图片 | |
产品型号 | IPI120N04S3-02 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 230µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 80A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
其它名称 | IPI120N04S302 |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |