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  • 型号: IPI120N04S3-02
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI120N04S3-02由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI120N04S3-02价格参考。InfineonIPI120N04S3-02封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI120N04S3-02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI120N04S3-02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I120N04S3-02_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba1cd4583

产品图片

产品型号

IPI120N04S3-02

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 230µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

210nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.3 毫欧 @ 80A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

供应商器件封装

PG-TO262-3

其它名称

IPI120N04S302
IPI120N04S302AKSA1
SP000261225

功率-最大值

300W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

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