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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 80A TO-262 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP04N03LA_Rev1.9_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a8458437d |
产品图片 | |
产品型号 | IPI04N03LA |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | OptiMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 60µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3877pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 毫欧 @ 55A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
其它名称 | IPI04N03LAIN |
功率-最大值 | 107W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |