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Datasheet下载- 型号： IPI041N12N3 G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IPI041N12N3 G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI041N12N3 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPI041N12N3 G价格参考以及InfineonIPI041N12N3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPI041N12N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPI041N12N3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3MOSFET N-Channel 120V MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI041N12N3 GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 |
| 产品型号 | IPI041N12N3 G |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 158 nC |
| Qg-栅极电荷 | 158 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 120 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 52 nS |
| 下降时间 | 21 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13800pF @ 60V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 211nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI041N12N3G |
| 典型关闭延迟时间 | 70 nS |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | IPI041N12 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPI041N12N3GAKSA1 SP000652748 |
