ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPI029N06NAKSA1
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI029N06NAKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI029N06NAKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI029N06NAKSA1价格参考￥4.64-￥4.94。InfineonIPI029N06NAKSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 60V 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3。您可以下载IPI029N06NAKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI029N06NAKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET MV POWER MOS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI029N06NAKSA1 |
| 产品型号 | IPI029N06NAKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 136 W |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| Qg-GateCharge | 56 nC |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 160 S |
| 系列 | IPI029N06 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000962134 |
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