Datasheet下载- 型号： IPG20N06S4L-11
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPG20N06S4L-11由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPG20N06S4L-11价格参考。InfineonIPG20N06S4L-11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPG20N06S4L-11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPG20N06S4L-11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPG20N06S4L-11_DS_1_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPG20N06S4L-11 |
| 产品型号 | IPG20N06S4L-11 |
| Pd-PowerDissipation | 65 W |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 系列 | IPG20N06 |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | IPG20N06S4L11ATMA1 SP000705550 |
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