Datasheet下载- 型号： IPG20N06S2L-65
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPG20N06S2L-65由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPG20N06S2L-65价格参考。InfineonIPG20N06S2L-65封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPG20N06S2L-65参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPG20N06S2L-65 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPG20N06S2L-65_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPG20N06S2L-65OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPG20N06S2L-65_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3c2672326cf |
| 产品型号 | IPG20N06S2L-65 |
| Pd-PowerDissipation | 43 W |
| Pd-功率耗散 | 43 W |
| Qg-GateCharge | 9.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3 nS |
| 下降时间 | 7 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 14µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4（5.15x6.15） |
| 其它名称 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 nS |
| 功率-最大值 | 43W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A |
| 系列 | IPG20N06 |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | IPG20N06S2L65ATMA1 SP000613722 |
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