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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPG20N06S2L-35由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPG20N06S2L-35价格参考。InfineonIPG20N06S2L-35封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPG20N06S2L-35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPG20N06S2L-35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPG20N06S2L-35_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPG20N06S2L-35OptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPG20N06S2L-35_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692 |
产品型号 | IPG20N06S2L-35 |
Pd-PowerDissipation | 65 W |
Pd-功率耗散 | 65 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 27µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4(5.15x6.15) |
其它名称 | IPG20N06S2L35ATMA1 |
功率-最大值 | 65W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | TDSON-8 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A |
系列 | IPG20N06 |
配置 | Dual |
零件号别名 | IPG20N06S2L35ATMA1 SP000613718 |