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  • 型号: IPD90N04S4-04
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD90N04S4-04由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD90N04S4-04价格参考。InfineonIPD90N04S4-04封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPD90N04S4-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD90N04S4-04 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313MOSFET N-Channel 40V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

90 A

Id-连续漏极电流

90 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD90N04S4-04_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD90N04S4-04OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD90N04S4-04_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87

产品型号

IPD90N04S4-04

Pd-PowerDissipation

71 W

Pd-功率耗散

71 W

Qg-GateCharge

33 nC

Qg-栅极电荷

33 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

11 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 35µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3440pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.1 毫欧 @ 90A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3-313

其它名称

IPD90N04S404ATMA1
SP000646186

典型关闭延迟时间

9 ns

功率-最大值

71W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

90A (Tc)

系列

IPD90N04

通道模式

Enhancement

零件号别名

IPD90N04S404ATMA1 SP000646186

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