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Datasheet下载- 型号： IPD65R250C6XTMA1
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IPD65R250C6XTMA1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD65R250C6XTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD65R250C6XTMA1价格参考。InfineonIPD65R250C6XTMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 16.1A（Tc） 208.3W（Tc） PG-TO252-3。您可以下载IPD65R250C6XTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD65R250C6XTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPD65R250C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043337a914d013383668e4d609a |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPD65R250C6XTMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 400µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 4.4A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252 |
| 其它名称 | IPD65R250C6XTMA1DKR |
| 功率-最大值 | 208.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.1A （Tc） |
