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  • 型号: IPD60R600E6
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD60R600E6由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD60R600E6价格参考。InfineonIPD60R600E6封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3。您可以下载IPD60R600E6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD60R600E6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3MOSFET N-CH 650V 7.3A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.3 A

Id-连续漏极电流

7.3 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD60R600E6CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b3941101ab2

产品型号

IPD60R600E6

Pd-PowerDissipation

63 W

Pd-功率耗散

63 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

540 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

540 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

440pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 2.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

IPD60R600E6CT

功率-最大值

63W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Tc)

系列

IPD60R600

零件号别名

IPD60R600E6BTMA1 SP000797374

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