ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IPD60R600E6
Datasheet下载- 型号： IPD60R600E6
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD60R600E6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD60R600E6价格参考。InfineonIPD60R600E6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3。您可以下载IPD60R600E6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD60R600E6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPD60R600E6是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：IPD60R600E6适用于开关电源中的功率转换部分，能够高效地进行电压和电流的转换与调节。其低导通电阻和高开关速度使其在开关电源中表现出色。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于各种电机驱动应用，包括直流无刷电机（BLDC）、步进电机等。它能够提供稳定的电流输出和快速的动态响应，确保电机运行平稳且效率高。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，IPD60R600E6可以用于将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换过程，同时保持较低的损耗。 4. 电池管理系统（BMS）：该器件适用于电池保护电路，用于控制充电和放电过程中的电流流动，防止过充、过放或短路等问题，从而提高电池的安全性和寿命。 5. 工业自动化设备：在工业自动化领域，这款MOSFET可用于控制各种负载，如电磁阀、继电器和其他执行机构，提供可靠的开关功能。 6. 消费电子：在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器等，IPD60R600E6可实现高效的功率管理，降低能耗并提高系统性能。 总体而言，IPD60R600E6凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，特别是在对能效和热管理要求较高的应用中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3MOSFET N-CH 650V 7.3A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD60R600E6CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b3941101ab2 |
| 产品型号 | IPD60R600E6 |
| Pd-PowerDissipation | 63 W |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD60R600E6CT |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.3A （Tc） |
| 系列 | IPD60R600 |
| 零件号别名 | IPD60R600E6BTMA1 SP000797374 |
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