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  • 型号: IPD50R950CE
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IPD50R950CE产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R950CE由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPD50R950CE价格参考以及InfineonIPD50R950CE封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPD50R950CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPD50R950CE详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252MOSFET 500V 950 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

超级结

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.3 A

Id-连续漏极电流

4.3 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD50R950CE_2_0+%282%29.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301385194b31e1064

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50R950CECoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007

产品型号

IPD50R950CE

Pd-PowerDissipation

34 W

Pd-功率耗散

34 W

Qg-GateCharge

10.5 nC

Qg-栅极电荷

10.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

950 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

950 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

231pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

950 毫欧 @ 1.2A,13V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

IPD50R950CEIN
IPD50R950CEIN-ND

功率-最大值

34W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

应用说明

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Tc)

系列

IPD50R950

配置

Single

零件号别名

IPD50R950CEBTMA1 SP000992070

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