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- 型号： IPD50R3K0CE
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPD50R3K0CE产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R3K0CE由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPD50R3K0CE价格参考以及InfineonIPD50R3K0CE封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPD50R3K0CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPD50R3K0CE详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD50R3K0CE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ CE |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 30µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 84pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 400mA， 13V |
| 供应商器件封装 | PG-TO-252 |
| 其它名称 | IPD50R3K0CECT |
| 功率-最大值 | 18W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Tc） |
