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  • 型号: IPD50P04P4L-11
  • 制造商: Infineon
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IPD50P04P4L-11产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3MOSFET P-Channel -40V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 50 A

Id-连续漏极电流

- 50 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD50P04P4L-11-Data+Sheet-Infineon-v10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50P04P4L-11OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPD50P04P4L_11-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58&ack=t

产品型号

IPD50P04P4L-11

Pd-PowerDissipation

58 W

Pd-功率耗散

58 W

Qg-GateCharge

45 nC

Qg-栅极电荷

45 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 40 V

Vds-漏源极击穿电压

- 40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.7 V

上升时间

9 ns

下降时间

39 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 85µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

59nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.6 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3-313

其它名称

IPD50P04P4L-11CT

典型关闭延迟时间

46 ns

功率-最大值

58W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

IPD50P04

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPD50P04P4L11ATMA1 SP000671156

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