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IPD50P04P4L-11产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50P04P4L-11由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPD50P04P4L-11价格参考以及InfineonIPD50P04P4L-11封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPD50P04P4L-11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPD50P04P4L-11详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3MOSFET P-Channel -40V MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 50 A |
Id-连续漏极电流 | - 50 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50P04P4L-11-Data+Sheet-Infineon-v10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50P04P4L-11OptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPD50P04P4L_11-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304329a0f6ee0129db9d1df05c58&ack=t |
产品型号 | IPD50P04P4L-11 |
Pd-PowerDissipation | 58 W |
Pd-功率耗散 | 58 W |
Qg-GateCharge | 45 nC |
Qg-栅极电荷 | 45 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.7 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 39 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 85µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.6 毫欧 @ 50A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO252-3-313 |
其它名称 | IPD50P04P4L-11CT |
典型关闭延迟时间 | 46 ns |
功率-最大值 | 58W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
系列 | IPD50P04 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPD50P04P4L11ATMA1 SP000671156 |