数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50N06S4L-12由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50N06S4L-12价格参考。InfineonIPD50N06S4L-12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPD50N06S4L-12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD50N06S4L-12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11MOSFET N-Channel 60V MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
Id-连续漏极电流 | 50 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N06S4L-12_DS_10.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50N06S4L-12OptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N06S4L-12_DS_10.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a8084a04a6500&fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 |
产品型号 | IPD50N06S4L-12 |
Pd-PowerDissipation | 50 W |
Pd-功率耗散 | 50 W |
Qg-GateCharge | 30 nC |
Qg-栅极电荷 | 30 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
上升时间 | 2 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 20µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2890pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 50A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO252-3-11 |
其它名称 | IPD50N06S4L12ATMA1 |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
系列 | IPD50N06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPD50N06S4L12ATMA1 SP000476422 |