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  • 型号: IPD50N04S4-08
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50N04S4-08由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50N04S4-08价格参考¥1.51-¥1.54。InfineonIPD50N04S4-08封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPD50N04S4-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD50N04S4-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313MOSFET N-Channel 40V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N04S4-08_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50N04S4-08OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N04S4-08_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c847b245e45

产品型号

IPD50N04S4-08

Pd-PowerDissipation

46 W

Pd-功率耗散

46 W

Qg-GateCharge

17.2 nC

Qg-栅极电荷

17.2 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

7 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 17µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1780pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.9 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3-313

其它名称

IPD50N04S408ATMA1
SP000711450

典型关闭延迟时间

5 ns

功率-最大值

46W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

IPD50N04

配置

Single

零件号别名

IPD50N04S408ATMA1 SP000711450

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