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  • 型号: IPD49CN10N G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD49CN10N G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD49CN10N G价格参考。InfineonIPD49CN10N G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPD49CN10N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD49CN10N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP50CN10N_Rev1.05.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c1747466c

产品图片

产品型号

IPD49CN10N G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 20µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1090pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

49 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

SP000096459

功率-最大值

44W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

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