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IPD30N03S4L-09产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD30N03S4L-09_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD30N03S4L-09OptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD30N03S4L-09_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b |
产品型号 | IPD30N03S4L-09 |
Pd-PowerDissipation | 42 W |
Pd-功率耗散 | 42 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 16 V |
上升时间 | 1 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 13µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1520pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 30A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFETs |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
其它名称 | IPD30N03S4L-09-ND |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 42W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
系列 | IPD30N03 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPD30N03S4L09ATMA1 SP000415578 |