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  • 型号: IPD30N03S4L-09
  • 制造商: Infineon
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IPD30N03S4L-09产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

53 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD30N03S4L-09_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD30N03S4L-09OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD30N03S4L-09_DS_10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b

产品型号

IPD30N03S4L-09

Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 16 V

上升时间

1 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 13µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1520pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 30A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFETs

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

IPD30N03S4L-09-ND
IPD30N03S4L-09INTR
IPD30N03S4L09
IPD30N03S4L09ATMA1
SP000415578

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

42W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

系列

IPD30N03

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPD30N03S4L09ATMA1 SP000415578

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