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  • 型号: IPD26N06S2L-35
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD26N06S2L-35由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD26N06S2L-35价格参考。InfineonIPD26N06S2L-35封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPD26N06S2L-35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD26N06S2L-35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

26 A

Id-连续漏极电流

26 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD26N06S2L-35_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b43351ff5b22

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD26N06S2L-35OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD26N06S2L-35_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b43351ff5b22

产品型号

IPD26N06S2L-35

Pd-PowerDissipation

68 W

Pd-功率耗散

68 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

35 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

35 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

18 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 26µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

621pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 13A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

IPD26N06S2L35ATMA1
SP000252165

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

68W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

35 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

26 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

系列

IPD26N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPD26N06S2L35ATMA1 SP000252165

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