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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD053N06NATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD053N06NATMA1价格参考¥6.02-¥8.51。InfineonIPD053N06NATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 18A(Ta),45A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO252-3。您可以下载IPD053N06NATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD053N06NATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPD053N06NATMA1是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - 该MOSFET适用于各种开关模式电源设计,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器和充电器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效降低功率损耗,提高转换效率。 - 可用于同步整流电路中,作为高效开关元件。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,如家用电器(风扇、吸尘器)、电动工具和工业自动化设备中,IPD053N06NATMA1可作为功率级开关,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其快速开关能力和低开关损耗使其非常适合高频PWM控制。 3. 负载切换与保护 - 该器件可用于负载切换电路中,实现对不同负载的动态控制。例如,在汽车电子系统中,用于电池管理或负载保护。 - 提供过流保护功能,防止因短路或过载导致的损坏。 4. 太阳能逆变器 - 在微型逆变器或优化器中,这款MOSFET可以用作功率开关,将直流电转换为交流电,同时保持高效率和低热耗散。 5. 消费电子设备 - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统中,IPD053N06NATMA1可用于电池充电管理和电压调节。 - 适用于USB-PD(Power Delivery)充电器,支持快速充电功能。 6. 汽车电子 - 在车载电子系统中,如信息娱乐系统、LED照明控制和车身控制系统,这款MOSFET可以提供稳定可靠的开关性能。 - 符合AEC-Q101标准的版本还可用于更严苛的汽车环境。 7. 信号放大与缓冲 - 在某些低频信号处理应用中,该MOSFET可用作信号放大或缓冲元件,确保信号完整性。 综上所述,IPD053N06NATMA1凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,特别适合需要高效功率转换和低功耗的应用场景。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
Id-连续漏极电流 | 45 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET MV PowerMOS |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD053N06NATMA1 |
产品型号 | IPD053N06NATMA1 |
Pd-PowerDissipation | 83 W |
Pd-功率耗散 | 83 W |
Qg-GateCharge | 27 nC |
Qg-栅极电荷 | 27 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 7 ns |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
正向跨导-最小值 | 75 S |
系列 | IPD053N06 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000962138 |