【IPB80N03S4L-03/规格参数】厂家_IPB80N03S4L-03中文资料_价格

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型号： IPB80N03S4L-03
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPB80N03S4L-03产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3MOSFET OPTIMOS-T2 POWER-TRANS
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	80 A
Id-连续漏极电流	80 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPB80N03S4L-02_IPP_I80N03S4L_03_DS_2_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fb253b37
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB80N03S4L-03OptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB80N03S4L_03_IPP_I80N03S4L_04-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f8443b28&ack=t
产品型号	IPB80N03S4L-03
Pd-PowerDissipation	94 W
Pd-功率耗散	94 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	3.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	3.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
上升时间	6 ns
下降时间	7 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 45µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5100pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	75nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3.3 毫欧 @ 80A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO263-3
其它名称	IPB80N03S4L-03CT
典型关闭延迟时间	37 ns
功率-最大值	94W
包装	剪切带（CT）
商标	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	80A （Tc）
系列	IPB80N03
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	IPB80N03S4L03ATMA1 SP000274982