【IPB65R280C6/规格参数】厂家_IPB65R280C6中文资料_价格

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型号： IPB65R280C6
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPB65R280C6产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	13.8 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB65R280C6CoolMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPB65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8a83f81458ab
产品型号	IPB65R280C6
Pd-PowerDissipation	104 W
Pd-功率耗散	104 W
Qg-GateCharge	45 nC
Qg-栅极电荷	45 nC
RdsOn-漏源导通电阻	280 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	700 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	11 nS
下降时间	12 nS
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 440µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	950pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	45nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	280 毫欧 @ 4.4A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO263
其它名称	IPB65R280C6-ND IPB65R280C6ATMA1 SP000745030
典型关闭延迟时间	105 nS
功率-最大值	104W
包装	带卷（TR）
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	280 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
汲极/源极击穿电压	700 V
漏极连续电流	13.8 A
漏源极电压(Vdss)	650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13.8A （Tc）
系列	IPB65R280
配置	Single
零件号别名	IPB65R280C6ATMA1 SP000745030