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Datasheet下载- 型号： IPB60R199CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPB60R199CP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB60R199CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB60R199CP价格参考以及InfineonIPB60R199CP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB60R199CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPB60R199CP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 16A TO-263MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB60R199CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf |
| 产品型号 | IPB60R199CP |
| Pd-PowerDissipation | 139 W |
| Pd-功率耗散 | 139 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 199 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 199 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 660µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1520pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 199 毫欧 @ 9.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB60R199CPCT |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 139W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 系列 | IPB60R199 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB60R199CPATMA1 SP000223256 |
