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  • 型号: IPB60R125CP
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB60R125CP由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB60R125CP价格参考。InfineonIPB60R125CP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB60R125CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB60R125CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 25A TO263MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

25 A

Id-连续漏极电流

25 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB60R125CPCoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPB60R125CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca389011528515f4f12ba

产品型号

IPB60R125CP

Pd-PowerDissipation

208 W

Pd-功率耗散

208 W

Qg-GateCharge

53 nC

Qg-栅极电荷

53 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

125 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

125 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.5 V

上升时间

5 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 1.1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2500pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 16A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

IPB60R125CPCT

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

208W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

系列

IPB60R125

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPB60R125CPATMA1 SP000297368

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